嵌入式操作集電壓暫降/暫升/中斷一體裝置特點：

高性能的硬件平臺

裝置采用基于 Xilinx SoC 構架的雙 ARM 內核處理器，ARM1 運行嵌入式 Linux、TCP/IP協(xié)議、Http 協(xié)議、Web 服務器、電能質量數(shù)據(jù)的存儲、統(tǒng)計、分析，ARM2 用來數(shù)據(jù)采樣、電能質量數(shù)據(jù)計算。裝置每周波采樣高達 1024 點，具備高測量精度能準確記錄故障波形。采用 eMMC 進口高速存儲芯片容量達到 32GB，可以長期存儲事件記錄與故障波形等數(shù)據(jù)。具備友好的人機界面，800*480 像素點陣彩色大尺寸液晶可就地查看實時波形與故障波形，方便用戶故障分析。

豐富的接口資源

16 路交流電壓/電流通道，可同時接入多組電壓電流，如單組電壓電流、雙組電壓電流等；

16 路可編程無源繼電器出口、22 路有源開關量輸入通道；

2 路 RS485 接口支持 Modbus-RTU 規(guī)約；

4 路以太網接口，支持 Modbus-TCP、IEC61850、Web Server；

1 路 GPS 對時接口，支持 IRIG-B 對時方式；

1 路 RS232 接口，用于接入打印機；

1 路 USB 接口，可用于文件導出及裝置維護。

可靠性設計

裝置軟硬件具有持續(xù)完善的自檢功能，抗干擾性能好，裝置通過多項電磁兼容檢測認證，電快速瞬變脈沖群、靜電放電、浪涌抗干擾性能均達到國家標準。

嵌入式操作集電壓暫降/暫升/中斷一體裝置功能對照及型號說明：

技術參數(shù)

工作電源

額定值：AC/DC220、AC/DC110V或DC48V

允許偏差： －20％～＋20％；

功率消耗： 不大于15W；

交流電流輸入

輸入方式： 電流互感器輸入；

額定值In： 5A或1A；

測量范圍： 0～1.2In；

功率消耗： 不大于0.5VA/路；

過載能力： 1.2In 連續(xù)工作；20倍額定電流允許1s。

交流電壓輸入

輸入方式： 電壓互感器輸入；

額定值Un： 57.74V/100V或220V/380V；

測量范圍： 0～1.2Un；

功率消耗： 不大于0.5VA/路；

過載能力： 1.2Un 連續(xù)工作;4倍額定電壓允許1s。

開關量輸入

額定電壓： AC/DC220V、AC/DC110V或DC48V；

輸入方式： 無源接點，需要外接電源；

開關量輸出

機械壽命： ≥10000次；

輸出方式： 無源干接點；

接通容量： ≤4000W或≤384VA；

導通電流： 連續(xù)≥16A(AC250V/DC24V)，短時(200ms)≥30A;

監(jiān)測精度對照表：

絕緣電阻 

用開路電壓為500V 的兆歐表測量裝置的絕緣電阻值，正常試驗大氣條件下各等級的各回路絕緣電阻不小于20MΩ。 

沖擊電壓 

在正常試驗大氣條件下，裝置的電源輸入回路、交流輸入回路、輸出觸點回路對地以及回路之間能承受1.2/50μs 的標準雷電波的短時沖擊電壓試驗，開路試驗電壓5kV。 

耐濕熱性能 

裝置應能承受GB/T 2423.9-2001 規(guī)定的恒定濕熱試驗。試驗溫度+40℃±2℃、相對濕度(93 ± 3)％，試驗時間為48小時，在試驗結束前2小時內，用500V直流兆歐表，測量各外引帶電回路部分外露非帶電金屬部分及外殼之間、以及電氣上無聯(lián)系的各回路之間的絕緣電阻應不小于1.5MΩ；介質耐壓強度不低于介質強度試驗電壓幅值的75％。 

電磁兼容性能 

1)電壓暫降和短時中斷抗擾度滿足 GB/T 17626.11 和 GB/T17626.29 的要求； 

2)射頻電磁場輻射抗擾度應按照 GB/T 17626.3 中規(guī)定，滿足嚴酷等級 4 級的要求； 

3)電快速瞬變脈沖群抗擾度應按照 GB/T17626.4 中規(guī)定，滿足嚴酷等級 4 級的要求； 

4)靜電放電抗擾度應按照 GB/T 17626.2 中規(guī)定，滿足嚴酷等級 4 級的要求； 

5)浪涌抗擾度應按照 GB/T 17626.5 中規(guī)定，滿足嚴酷等級 4 級的要求； 

6)工頻磁場抗擾度應按照 GB/T 17626.8 中規(guī)定，滿足嚴酷等級 4 級的要求； 

7)射頻場感應的傳導騷擾抗擾度應按照 GB/T 17626.6 中規(guī)定，滿足嚴酷等級 3 級的要求；8)振蕩波抗擾度應按照 GB/T 17626.12 中規(guī)定，滿足嚴酷等級 4 級的要求。